因此，沉积通常是起始时用和，然在生长时用和底层的阶梯覆盖对于薄膜总的保形和可幕非常关键。然而，还原工艺也有许多缺点，例如，会在薄膜里含有，方管通过形成颗粒产生反应器污染，蔬菜大棚骨架分享防止蔬菜受冻的措施！阶梯覆盖度较差，另外，成本高且难以反应器设计和反应器材料的选择对于选择钨也很重要，尽管和在室温气相条件下不发生反应，但是，和甚至在室温下也会发生范围的气相反应，导致形成高反应的反应中间体并形成颗粒。然而，与还原反应相比，还原反应难以维持选择。通过在基体面上混合两种气体可以使该问题小。使用冷壁反应器也是的，方管因为这可以减小沉积在非生长面上的反应中间体和产物的浓度，它们金属的前驱体微电子工业要求钨在较低的温度和无腐蚀的环境下沉积，这就产生了开发其他的钨前驱体的兴趣。金属前驱体作为钨的沉积前驱体有几个潜在的吸引人的质。这些前驱体相对低的热稳定使得薄膜沉积能够在的低温度下进行，而或还原的沉积温度则较高。由于该原因，在微电子应用领域，这些前驱体未能成功地成为卤钨的替代物，因为膜层会含有杂质，尤其迄今为止，已经研究了不同的钨金属前驱体井用于钨的。这些前驱体挥发的，热稳定的面且在低温下相对容易。是种白挥发的固体时蒸气压为，方管约在开始，理想的反应方程如下从原理上来讲不需还原剂因为它已经是零价，蔬菜大棚骨架分享防止蔬菜受冻的措施！但是，为了减少碳的污染通常加入氢气，使用大棚骨架的钨也有光辅助的方法。
总，仍然是获得具有低电阻率的纯净，结合力好的钨膜的好的前驱体。相对于其他的前驱体，的下列几个突出的能使其于目前已研究的所有其他的前驱体：①高的蒸气压在室温是种气体；②金属薄膜可以达到纯净；③在面上可以获得选择沉积。目前，还没有发现其他已做过研究的前驱体能满足这三种要求。此外的也非常低 是微电子应用中重要的金属氮物。它具有许多的能，包括高硬度，大棚骨架-温室大棚骨架-连栋温室大棚骨架-蔬菜大棚骨架-养殖大棚生产厂家-山东京阳温室科技有限公司良好的电导率，高熔点和学惰。薄膜传统的实际应用是作为工具的涂层和轴承，因为它具有优异的力学能和耐磨能，另外，由于其外具有金样的颜徐层的沉积工艺和金属切割方面的应用进行了综述。近 作为微电子应用里的扩散阻挡层获得了应用。为了金属和半导体间的相互作用，经常在它们间引入扩散阻挡层阻挡层大棚骨架材料的选择取决于被分离的材料。
钝态扩散阻挡层具有很的负的形成能因此，是具有较学稳定和较强学键的合物。它们不会与上层和下基材层的材料发生反应，而且对于硅和金属铝在上边和下边具有合金和的固溶度也较小。因此，这些都是作为Ⅳ合金界面的通孔结构示意扩散阻挡层材料需要优先考虑的能由于是学和热力学稳定的，因此可作为钝态的扩散阻挡层。作为不能的阻挡层它可以物理阻挡铝扩散进入硅中。对于大棚骨架其他金属也具有高的扩散活能薄膜也用作非选择钨膜层的结合层，同时也是在钨期间保持连接完整的种方法，薄膜在很宽的成分范围内都很稳定，然而，薄膜能关键还是取决于薄膜成分比和薄膜的纯度。结构的薄膜的成分变的结果是亚晶格的或者的过剩。
